Главная » 2011 » Июль » 17 » Новый транзистор NXP BLF578XR на 1.200-W-HF-MOSFET-
Новый транзистор NXP BLF578XR на 1.200-W-HF-MOSFET-
13:16
Неубиваемый транзистор?
Очень сильный 1200-W RF MOSFET может выдерживать короткие замыкания и продолжать работать....
Дата выпуска 10 июля 2011 года.
Производителя полупроводников NXP является могучим и гордится своим новым мощным транзистором, называемый BLF578XR, что хорошо для 1,2 кВт выходной мощности РФ. Это идеальный уровень ВЧ усилителей в диапазоне 10 .. 500 МГц, а также в критических условиях эксплуатации, чтобы получить едва ли мертв.
NXP так гордится ее последний результат выдающиеся достижения инженерии, которые они демонстрируют на видео, как и с застроена эта транзисторных усилителей в эксплуатации, нагрузки и даже выход замкнут, не будучи в состоянии транзистор вреда.Типичное применение для этого силовые полупроводниковые приборы, например, контроля промышленных лазеров и др.
Приветствую Вас Гость
PDA| 
рассылка по почте
