Украинский КВ портал
Новости Украинский УКВ портал
Воскресенье, 11.04.2021, 20:10


Попробуйте наш тулбар
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 4 из 4
  • «
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
Модератор форума: uy0ll  
Форум » Технический раздел » Трансиверы » Открытый проект – «усилитель» (Разрабатываемый вариант РА250 «Сделай сам» является базовым)
Открытый проект – «усилитель»
UR1LDДата: Среда, 04.11.2020, 21:59 | Сообщение # 46
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Информация от UR3LUL

Прикрепления: 8422821.jpg(310.7 Kb) · 8833647.jpg(164.0 Kb) · 1730606.jpg(358.5 Kb)
 
UR1LDДата: Суббота, 02.01.2021, 00:06 | Сообщение # 47
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Информация от UR3LUL

Фазовый подавитель шумов MFJ-1026

Подавитель MFJ-1026 предназначен для уменьшения уровня шумов или помех и улучшения/усиления принимаемых сигналов перед подачей их на вход приёмника. В отличие от обычных шумоподавителей, MFJ-1026 эффективно подавляет все типы шумов, включая интерференционные шумы (QRM), обусловленные влиянием нежелательных сигналов. Складывая сигналы от двух антенн, подавитель MFJ-1026 позволяет пользователю отрегулировать как фазу этих сигналов, так и амплитуду. Сигналы на антенные входы могут быть поданы от 2 внешних антенн или от одной внешней и одной встроенной в MFJ-1026 штыревой телескопической антенны. Выходной сигнал, подаваемый на вход приёмника, получается векторным сложением или вычитанием сигналов этих антенн. За счёт этого можно подавить нежелательные шумы или улучшить качество полезного сигнала.
Фазовый метод улучшения качества сигнала или подавления шумов имеет некоторые преимущества по сравнению методами, применяемыми в традиционных шумоподавителях:
1. Уровень интерференционных шумов может быть гораздо выше уровня полезного сигнала, тем не менее, шумы могут быть полностью удалены. Воздействия на полезный сигнал при этом не происходит.
2. Подавитель MFJ-1026 эффективно работает со всеми типами интерференционных шумов, а также с сигналами любой модуляции.
3. Сложение или вычитание сигналов антенн происходит простым нажатием кнопки. Амплитудно-фазовая характеристика электрических цепей подавителя MFJ-1026 имеет исключительно малую неравномерность, таким образом, настройка прибора очень легка и имеет хорошую повторяемость. Обычно фазирующие цепи имеют или ограниченный диапазон регулирования фазы, или меняют амплитуду сигнала при этом регулировании. В подавителе MFJ-1026 усиление меняется менее чем на 3 dB (в большинстве случаев, менее чем на 1 dB) при вращении регулятора фазы в пределах его диапазона регулировки.  Можно пробовать устранить с помощью служб, плохие контакты на высоковольтных линях, плохие контакты реле включение освещения, помехи от импульсных блоков питания и т.д.. Вы уже все это сделали, и помеха все равно осталась. Значит лучшее решение решить вопрос с приемом использовать замечательное устройство MFJ-1026, который уже помог не одной тысячи радиолюбителей по всему миру. Главный принцип работы этого прибора, состоит в том, чтобы с помщью фазового вычитания убрать помеху из полезного сигнала. Получались замечательные результаты, когда удавалось уменьшить шумы с S-9 до уровня S-0. , в том числе и у российских радиолюбителей. По их отзывам, надо быть внимтельным в настройке прибора и разобраться как им пользоваться, и тогда результаты будут просто ошеломляющие.
Принцип работы прибора состоит в том, что в разнесенных в пространстве антеннах одна и та же электромагнитная волна помехи наведет разные по амплитуде и фазе токи. Разность фаз зависит от расстояния между антеннами, направления прихода сигнала и расположения антенн, относительно этого направления.
Если выровнять (аттенюаторами) амплитуды принятой обеими антеннами помехи, и затем довернуть фазу, так чтобы сигналы помехи с обоих антенн стали в точности противофазны, то ясно, что при сложении в сумматоре обеих сигналов произойдет компенсация. Степень ослабления зависит лишь от точности баланса фаз и амплитуд и легко может достигать несколько десятков dB (как в любом балансном устройстве).
Полезные же сигналы имеют другое соотношение амплитуд и фаз на антеннах. И при проходе по тому же пути уже не будут в точности компенсированы, и ослабятся намного меньше.
Выигрыш в отношении С/П на выходе сумматора может колеблется от нескольких до 30..40 dB (зависит от расположения антенн относительно азимута прихода помехи).
MFJ-1026 работает на всех режимах - SSB, AM, CW, FM, RTTY, SSTV, Пакете, и Pactor и от частот 1,8 Mhz до 30Mhz.



Добавлено (02.01.2021, 00:09)
---------------------------------------------
Дополнительная информация по MFJ-1026
Впечатления UА9АМ. Посмотреть.
Впечатления G4ILО. Посмотреть.
Впечатления K0ТО. Посмотреть.
Прибор для фазирования антенн DL2КQ. Посмотреть.
QRM killer от РА4ТIM. Посмотреть.
Доработка MFJ-1026. Посмотреть.
Доработка MFJ-1026 от IС8РОF. Посмотреть.
Прикрепления: 7134162.jpg(13.9 Kb) · 7165265.gif(59.9 Kb) · 8106023.jpg(22.5 Kb) · 9475625.jpg(13.2 Kb)


Сообщение отредактировал UR1LD - Суббота, 02.01.2021, 00:11
 
UR1LDДата: Суббота, 02.01.2021, 00:16 | Сообщение # 48
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Прикрепления: MFJ-1026_RUS.pdf(1.08 Mb)


Сообщение отредактировал UR1LD - Суббота, 02.01.2021, 00:28
 
UR1LDДата: Четверг, 14.01.2021, 19:20 | Сообщение # 49
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Антенна "Украинский тандем"

Прикрепления: 6932642.jpg(108.3 Kb)
 
UR1LDДата: Четверг, 18.03.2021, 19:18 | Сообщение # 50
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Новый CREE Z-FET™ MOSFET на карбиде кремния (SiC)
CMF20120D

4 шт CMF20120D, 3 диапазона, около 500 вт.





Прикрепления: 5385724.jpg(298.1 Kb) · 1234005.jpg(103.9 Kb) · 9334260.jpg(280.6 Kb) · 1103897.jpg(111.4 Kb) · 5179543.jpg(277.5 Kb)


Сообщение отредактировал UR1LD - Четверг, 18.03.2021, 19:21
 
UR1LDДата: Четверг, 18.03.2021, 19:20 | Сообщение # 51
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Документация
Прикрепления: CMF20120D-Cree.pdf(761.0 Kb)
 
UR1LDДата: Четверг, 18.03.2021, 19:24 | Сообщение # 52
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
Охлаждение


Прикрепления: 2146298.jpg(40.6 Kb) · 5907024.jpg(87.9 Kb)
 
UR1LDДата: Пятница, 19.03.2021, 00:13 | Сообщение # 53
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
CMF20120D — первый 1200V MOSFET на основе карбида кремния


Компания CREE, лидер рынка в области производства силовых устройств на основе карбида кремния (SiC), представила первый коммерческий мощный MOSFET на основе карбида кремния. CMF20120D – силовой MOSFET с запирающим напряжением 1200V на основе карбида кремния обеспечивает самые низкие потери переключения в своем классе.Это устройство позволяет установить новый стандарт для энергосберегающих силовых ключей и предоставляет возможность разработки схем высокого напряжения с чрезвычайно быстрыми скоростями переключения при сверхнизких потерях.MOSFET SiC может использоваться для преобразователей солнечной энергии, источников питания высокого напряжения и создания источников питания для индустриальных приложений. За следующие несколько лет ключи SiC и диоды найдут применение в управлении электроприводом, электромобилями и ветроэнергетике.Использование мощного MOSFET SiC совместно с семейством диодов Шоттки компании CREE позволит инженерам-конструкторам источников питания разработать приложения целиком на основе карбида кремния (all-SiC); а также реализовать критические схемы коммутации высокой мощности и системы с уровнями эффективности энергопотребления, размерами и весом, которые не достижимы с любыми коммерчески доступными кремниевыми устройствами питания с аналогичными параметрами.“Разработка нашего SiC мощного MOSFET обеспечивается многолетними исследования материалов, разработки процессов и проектирования устройств,” сказали Джон Пэлмур, соучредитель CREE и главный инженер, Power and RF. “Но конечный результат — то, что первое ‘идеальное’ устройство коммутации высокого напряжения больше не технология будущего – это коммерчески доступный и готовый к использованию продукт. Вместе с нашими SiC Шоттки диодами на 600V, 650V, 1200V и 1700V, компания CREE установила новый класс компонентов питания SiC, которые предназначены, чтобы ввести отрасль силовых полупроводников в будущее, и в конечном счете заменить кремниевые устройства в большинстве критических приложений силовой электроники с требованиями напряжения пробоя 1200V или выше.”CMF20120D, SiC MOSFET компании CREE, обеспечивает запирающие напряжения до 1200V с сопротивлением прямого перехода (RDSon) всего 80mΩ при 25°C. По сравнению сопоставимыми кремниевыми устройствами, для SiC MOSFET сопротивление прямого перехода остается ниже 100mΩ во всем диапазоне рабочих температур. Сочетание показателей производительности и условия эксплуатации, наряду с правильной архитектурой устройства MOSFET (normally-off), делает его использование идеалом для схем коммутации в силовой электронике. По сравнению с доступным коммерческим кремниевым MOSFET или устройствами IGBT с аналогичными параметрами, в тестах, проводимых компанией CREE, у CMF20120D был самый низкий заряд затвора (QG <100nC) в рекомендуемом диапазоне входного напряжения. Потери проводимости были минимизированы при прямом падении напряжения (VF) <2V и токе 20A.CMF20120D имеет существенные преимущества перед кремниевыми устройствами, включая беспрецедентную системную эффективность – меньшему размеру, весу и стоимости, благодаря более высокой рабочей частоте. Увеличение скорости переключения MOSFET позволит уменьшить потери во многих приложениях на 50 процентов.По сравнению с лучшим кремниевым IGBTs устройство CREE улучшает эффективность систем и работает на больших частотах (в 2-3 раза). Более высокая компонентная эффективность также приводит к более низким рабочим температурам. Объединение этих более низких рабочих температур со сверхнизким током утечки CMF20120D (<1μA) значительно увеличивает надежность систем.Оптимальные применения CMF20120D в силовой электронике.
MOSFET CMF20120D компании CREE идеален для высоковольтных приложений, где эффективность энергопотребления является критической. Солнечные инверторы — пример, где MOSFET SiC могут использоваться как в демпферах, так и в частях инвертора DC/AC преобразователей. Потери переключения уменьшены больше чем 30 процентов благодаря использованию MOSFET SiC; и в сочетании с SiC Шоттки диодами, полная системная эффективность демонстрировалась выше 99%.Подобная эффективность может быть достигнута в других приложениях, которые требуют высоких запирающих напряжений в комбинации с быстрым, эффективным переключением, таких как промышленные электроприводы, импульсные источники питания, корректоры коэффициента мощности (PFC), демпферы и схемы DC/DC преобразователей высокой частоты в промышленных и коммуникационных системах. В дополнение к потенциальному увеличению эффективности низкие потери переключения SiC MOSFET и диодов компании CREE могут позволить оптимизировать частоту переключения до трех раз по сравнению с коммерчески доступными кремниевыми устройствами.

Добавлено (19.03.2021, 10:20)
---------------------------------------------
Первая партия CMF20120D уже доступна со склада КОМПЭЛ. При заказах от 600 штук транзистор доступен по цене от 95$ (ориентировочно).

Прикрепления: 9933428.png(10.8 Kb)


Сообщение отредактировал UR1LD - Пятница, 19.03.2021, 00:14
 
UR1LDДата: Пятница, 19.03.2021, 10:27 | Сообщение # 54
Любопытный
Группа: Проверенные
Сообщений: 52
Награды: 0
Репутация: 0
Статус: Отсутствует
CMF20120D
Прикрепления: 8733514.jpg(56.2 Kb)
 
Форум » Технический раздел » Трансиверы » Открытый проект – «усилитель» (Разрабатываемый вариант РА250 «Сделай сам» является базовым)
  • Страница 4 из 4
  • «
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
Поиск:

При копировании материалов с этого сайта, обязательна АКТИВНАЯ ссылка на сайт HFDX.AT.UA и на первоисточник!
Copyright HFDX.AT.UA © 2021
Хостинг от uCoz