Группа ученых из Хельсинского Технологического Университета в Финляндии, Австралийского Университета Нового Южного Уэльса и Университета Мельбурна добилась успехов в создании микротранзистора, активная область которого состоит из единственного атома фосфора, внедренного в кремний.
Принцип работы прибора основан на последовательном туннелировании единичных электронов между атомом фосфора и истоком и стоком микротранзистора. Управление процессом туннелирование осуществляется изменением напряжения на затворе толщиной всего несколько десятков нанометров.
В разработанном микротранзисторе весь электрический ток проходит через единственный атом, что позволяет исследователям изучать эффекты, возникающие при столь значительном уменьшении размеров активных электронных приборов.
Да, туннельный "эффект" в свое время был большим прорывом в Микроэлектронике. Обратная В\А характеристика предвещала много интересного. И много приборов было построено в данной технологии. Энергии на работу данных приборов затрачивалось на порядок меньше. К стати, очень много простых схем генераторов было построено просто в Домашних лабораториях. Деталей 5-6. Самое главное "загнать" это Чудо в середину характеристики. Если, как утверждает Первоисточник, что туннелирование происходит не области полупроводника, а атоме, то данная разработка имеет большое МЕСТО. И конечно, это достаточно большой ПРОРЫВ в Микроэлекронике!! 73!
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ]
Приветствую Вас Гость
PDA| 
рассылка по почте
